STB24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
部件编号：
STB24N60M2
替代型号：
R6020ENJTL , AOB25S65L , IPD60R180P7SAUMA1 , STTH8L06G-TR , IPB60R180P7ATMA1 , MURS120T3G , IRFS4620TRLPBF
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
RoHS：
YES
STB24N60M2 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
功耗（最大）：
150W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
供应商设备包：
TO-263 (D2PAK)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
漏源电压 (Vdss)：
600 V
Vgs（最大）：
±25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
18A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
29 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
190mOhm @ 9A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1060 pF @ 100 V
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