STH310N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
部件编号:
STH310N10F7-2
替代型号:
SQ2303ES-T1_GE3  ,  0463030.ER  ,  DCM3623T50M31C2T70  ,  IPB020N10N5ATMA1  ,  IPTG014N10NM5ATMA1  ,  STH310N10F7-6  ,  1904150  ,  IPB027N10N5ATMA1  ,  1902547  ,  1N5242BTR  ,  IRFS4010TRLPBF  ,  61300311121  ,  BUK9Y6R0-60E  ,  115  ,  STPM801-TR  ,  1792892
制造商:
STMicroelectronics
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
RoHS:
YES
STH310N10F7-2 规格
安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大):
±20V
漏源电压 (Vdss):
100 V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
180 nC @ 10 V
供应商设备包:
H2PAK-2
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
180A (Tc)
功耗(最大):
315W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id:
3.8V @ 250µA
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
12800 pF @ 25 V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
2.5mOhm @ 60A, 10V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:8841
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3.28
3280
2000
3.08
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