IRF9389TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
部件编号：
IRF9389TRPBF
替代型号：
IRF9389PBF , IRS2005STRPBF , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1 , SP8M10FRATB , BSP317PH6327XTSA1 , BNX028-01L , FDD8424H , DMC3025LSD-13 , FDS8958A , BSS214NWH6327XTSA1 , 1N5819W , IRF7319TRPBF , IRF9540NPBF , ISZ0702NLSATMA1 , NCV8187AMT120TAG , LM324PWR , IRF7389TRPBF , IRFP260NPBF
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
RoHS：
YES
IRF9389TRPBF 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包：
8-SO
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
功率 - 最大：
2W
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
14nC @ 10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.3V @ 10µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.8A, 4.6A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
27mOhm @ 6.8A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
398pF @ 15V
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