TPN14006NH,L1Q
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
部件编号：
TPN14006NH,L1Q
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
RoHS：
YES
TPN14006NH,L1Q 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs（最大）：
±20V
包装/箱：
8-PowerVDFN
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
13A (Ta)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
15 nC @ 10 V
供应商设备包：
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 200µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6.5V, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1300 pF @ 30 V
功耗（最大）：
700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
14mOhm @ 6.5A, 10V
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