TK62J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
部件编号：
TK62J60W,S1VQ
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
RoHS：
YES
TK62J60W,S1VQ 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
Vgs（最大）：
±30V
包装/箱：
TO-3P-3, SC-65-3
漏源电压 (Vdss)：
600 V
功耗（最大）：
400W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
180 nC @ 10 V
供应商设备包：
TO-3P(N)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
6500 pF @ 300 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
61.8A (Ta)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.7V @ 3.1mA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
38mOhm @ 30.9A, 10V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1604
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