TK10E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
部件编号：
TK10E60W,S1VX
替代型号：
TK9J90E , S1E , IR2110STRPBF , FM24C64B-GTR , IPB35N10S3L26ATMA1 , LTV-852 , RH-2412D , MER1S2405SC , DSPIC30F6010A-30I/PT , LTV-815
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
RoHS：
YES
TK10E60W,S1VX 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
包装/箱：
TO-220-3
Vgs（最大）：
±30V
漏源电压 (Vdss)：
600 V
供应商设备包：
TO-220
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
20 nC @ 10 V
功耗（最大）：
100W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
380mOhm @ 4.9A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
700 pF @ 300 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
9.7A (Ta)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.7V @ 500µA
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快速询价
制造商标准交期：待定
标准包装数量：1621
数量
单价
国际价格
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