FCD380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
部件编号：
FCD380N60E
替代型号：
FCH104N60F , MMBFJ201 , FCD360N65S3R0 , NTHL065N65S3F , FCP850N80Z , V10X300E , NTHL110N65S3F , FQT5P10TF , S1V-13-F , MMBT3904TT1G , MURS360B , FCP260N65S3 , FMMT458TA , DRQ127-150-R , IPD60R380P6ATMA1
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
RoHS：
YES
FCD380N60E 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
45 nC @ 10 V
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包：
TO-252AA
漏源电压 (Vdss)：
600 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 250µA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1770 pF @ 25 V
功耗（最大）：
106W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
10.2A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
380mOhm @ 5A, 10V
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