TPN6R303NC,LQ
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
部件编号:
TPN6R303NC,LQ
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
RoHS:
YES
TPN6R303NC,LQ 规格
安装类型:
Surface Mount
工作温度:
150°C (TJ)
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
4.5V, 10V
Vgs(最大):
±20V
包装/箱:
8-PowerVDFN
漏源电压 (Vdss):
30 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
24 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
20A (Ta)
供应商设备包:
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.3V @ 200µA
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
1370 pF @ 15 V
功耗(最大):
700mW (Ta), 19W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
6.3mOhm @ 10A, 10V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
数量
单价
国际价格
3000
0.39
1170
6000
0.36
2160
9000
0.34
3060
30000
0.33
9900
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