TK32E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
部件编号:
TK32E12N1,S1X
替代型号:
TK22E10N1  ,  S1X
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
RoHS:
YES
TK32E12N1,S1X 规格
安装类型:
Through Hole
工作温度:
150°C (TJ)
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大):
±20V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
包装/箱:
TO-220-3
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
34 nC @ 10 V
供应商设备包:
TO-220
Vgs(th)(最大值)@Id:
4V @ 500µA
漏源电压 (Vdss):
120 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
功耗(最大):
98W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
13.8mOhm @ 16A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
2000 pF @ 60 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1723
数量
单价
国际价格
1
1.57
1.57
50
1.27
63.5
100
1
100
500
0.85
425
1000
0.69
690
2000
0.65
1300
5000
0.62
3100
10000
0.61
6100
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