TK31A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
部件编号:
TK31A60W,S4VX
替代型号:
IPA65R095C7XKSA1  ,  TK42E12N1  ,  S1X  ,  TPH1R306P1  ,  L1Q
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
RoHS:
YES
TK31A60W,S4VX 规格
安装类型:
Through Hole
工作温度:
150°C (TJ)
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
Vgs(最大):
±30V
漏源电压 (Vdss):
600 V
包装/箱:
TO-220-3 Full Pack
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
86 nC @ 10 V
供应商设备包:
TO-220SIS
功耗(最大):
45W (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
3000 pF @ 300 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
30.8A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
88mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id:
3.7V @ 1.5mA
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1647
数量
单价
国际价格
1
7.91
7.91
50
6.31
315.5
100
5.64
564
500
4.98
2490
1000
4.49
4490
2000
4.2
8400
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