STD10NM60ND
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
部件编号：
STD10NM60ND
替代型号：
STD10NM60N , LC86GLAMD , BMM350 , BHI360 , 0533984014 , US1MFA , ESP32-WROOM-32E-N16 , RE1C002UNTCL , STDCRG2-25M , ADP7105ACPZ-5.0-R7 , LTC2955IDDB-2#TRMPBF
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
RoHS：
YES
STD10NM60ND 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 250µA
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包：
DPAK
漏源电压 (Vdss)：
600 V
Vgs（最大）：
±25V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
20 nC @ 10 V
功耗（最大）：
70W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
8A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
600mOhm @ 4A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
577 pF @ 50 V
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