SIR882ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
部件编号：
SIR882ADP-T1-GE3
替代型号：
SIR882DP-T1-GE3 , SIR668ADP-T1-RE3 , SI7461DP-T1-E3 , SI7469DP-T1-GE3 , SIR876ADP-T1-GE3 , SIR870ADP-T1-GE3 , BSC040N10NS5ATMA1 , LT3796EFE#TRPBF , MFU0603FF05000P100 , 2N7002 , ISL80101IRAJZ-TK , MSP3V3-M3/89A , ACS712ELCTR-05B-T , CSD19533Q5A , LTC3638EMSE#TRPBF
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SIR882ADP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
60A (Tc)
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.8V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
60 nC @ 10 V
功耗（最大）：
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
8.7mOhm @ 20A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1975 pF @ 50 V
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