SIR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
部件编号：
SIR870ADP-T1-GE3
替代型号：
NCV7520MWTXG , SIS892DN-T1-GE3 , SIR870BDP-T1-RE3 , BSC060N10NS3GATMA1 , SISB46DN-T1-GE3 , LM2903DGKR , NCP59744MN2ADJTBG , SIA456DJ-T1-GE3 , SIDR870ADP-T1-GE3 , NTTFS5116PLTAG , SIR870ADP-T1-RE3 , SI4056DY-T1-GE3 , SI4532CDY-T1-GE3 , NCV8406ADTRKG , MBR2H200SFT1G
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SIR870ADP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
80 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
60A (Tc)
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
功耗（最大）：
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
6.6mOhm @ 20A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2866 pF @ 50 V
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