SIR826DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
部件编号：
SIR826DP-T1-GE3
替代型号：
BSC024NE2LSATMA1 , CMMR1U-06 TR PBFREE , CG0603MLC-05E , SIR826ADP-T1-GE3 , SIS488DN-T1-GE3 , DFLZ12-7 , DMN2004WK-7 , LTC4357HMS8#PBF , SI4190ADY-T1-GE3 , DFLS1100-7 , LT1910ES8#PBF , AON6280
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SIR826DP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
80 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
60A (Tc)
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.8V @ 250µA
功耗（最大）：
6.25W (Ta), 104W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
90 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2900 pF @ 40 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.8mOhm @ 20A, 10V
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