SIHB24N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
部件编号：
SIHB24N65E-GE3
替代型号：
PMEG100T200ELPEZ , VO3150A-X017T , REF3133AQDBZRQ1 , PEME1-S12-S15-S , ACS725KMATR-30AU-T , ASFM0242S , PRM3W-E12-S12-S , STM32F042F4P6 , PEM1-S5-S5-S
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
RoHS：
YES
SIHB24N65E-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs（最大）：
±30V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
供应商设备包：
TO-263 (D2PAK)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
漏源电压 (Vdss)：
650 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
24A (Tc)
功耗（最大）：
250W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
122 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
145mOhm @ 12A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2740 pF @ 100 V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：3469
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