SQ2360EES-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
部件编号：
SQ2360EES-T1-GE3
替代型号：
IRLML0060TRPBF , SQ2362ES-T1_GE3 , SI3477DV-T1-GE3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
RoHS：
YES
SQ2360EES-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 250µA
包装/箱：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
12 nC @ 10 V
供应商设备包：
SOT-23-3 (TO-236)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
370 pF @ 25 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.4A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
85mOhm @ 6A, 10V
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