TPS1120DR
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
部件编号：
TPS1120DR
替代型号：
TPS1120D
制造商：
Texas Instruments
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
RoHS：
YES
TPS1120DR 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.5V @ 250µA
配置：
2 P-Channel (Dual)
功率 - 最大：
840mW
Rds On（最大）@Id、Vgs：
180mOhm @ 1.5A, 10V
漏源电压 (Vdss)：
15V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
1.17A
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
5.45nC @ 10V
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