IXFN110N60P3
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
部件编号：
IXFN110N60P3
替代型号：
IPB090N06N3GATMA1 , IXFN230N20T , M-543CT , IXFN180N25T , A-2004-2-4-LPS-N-R , IXFN80N50P , IXFN82N60P , M41T94MH6F , ACPL-M483-000E , ADG441BRZ , MC74HC138ADR2G , IXFN80N60P3 , ACPL-M61L-000E , LM339DR2G , IXFN100N50P
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
RoHS：
YES
IXFN110N60P3 规格
安装类型：
Chassis Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs（最大）：
±30V
包装/箱：
SOT-227-4, miniBLOC
供应商设备包：
SOT-227B
漏源电压 (Vdss)：
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
90A (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 8mA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
18000 pF @ 25 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
245 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
56mOhm @ 55A, 10V
功耗（最大）：
1500W (Tc)
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标准包装数量：1615
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