IRFH5220TR2PBF
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
部件编号：
IRFH5220TR2PBF
替代型号：
IRFH5220TRPBF
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
RoHS：
NO
IRFH5220TR2PBF 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
30 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：
200 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 100µA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1380 pF @ 50 V
供应商设备包：
PQFN (5x6)
包装/箱：
8-VQFN Exposed Pad
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
99.9mOhm @ 5.8A, 10V
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制造商标准交期：待定
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