SUD35N10-26P-T4GE3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
部件编号：
SUD35N10-26P-T4GE3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
RoHS：
YES
SUD35N10-26P-T4GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包：
TO-252AA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
7V, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
35A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
47 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4.4V @ 250µA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
26mOhm @ 12A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2000 pF @ 12 V
功耗（最大）：
8.3W (Ta), 83W (Tc)
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