SQM40N10-30_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
部件编号:
SQM40N10-30_GE3
替代型号:
CPI-137-24T  ,  IDM02G120C5XTMA1  ,  FZT694BTA  ,  BUK9629-100B  ,  118  ,  WA-T247-101E  ,  MBR15U60-TP  ,  0507004.MXEP  ,  BSS169H6327XTSA1  ,  IPB35N10S3L26ATMA1  ,  DCM2322T72S53A0T60  ,  FQB55N10TM  ,  PHB47NQ10T  ,  118  ,  HCPL-817-500E  ,  QPI-12LZ-01  ,  THL 6-4812WISM
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
RoHS:
YES
SQM40N10-30_GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
6V, 10V
Vgs(最大):
±20V
漏源电压 (Vdss):
100 V
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
40A (Tc)
供应商设备包:
TO-263 (D2PAK)
包装/箱:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
62 nC @ 10 V
Vgs(th)(最大值)@Id:
3.5V @ 250µA
功耗(最大):
107W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
30mOhm @ 15A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
3345 pF @ 25 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:2228
数量
单价
国际价格
800
1.33
1064
1600
1.13
1808
2400
1.08
2592
5600
1.03
5768
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