SQM40N10-30_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
部件编号：
SQM40N10-30_GE3
替代型号：
CPI-137-24T , IDM02G120C5XTMA1 , FZT694BTA , BUK9629-100B , 118 , WA-T247-101E , MBR15U60-TP , 0507004.MXEP , BSS169H6327XTSA1 , IPB35N10S3L26ATMA1 , DCM2322T72S53A0T60 , FQB55N10TM , PHB47NQ10T , 118 , HCPL-817-500E , QPI-12LZ-01 , THL 6-4812WISM
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
RoHS：
YES
SQM40N10-30_GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
40A (Tc)
供应商设备包：
TO-263 (D2PAK)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
62 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 250µA
功耗（最大）：
107W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
30mOhm @ 15A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
3345 pF @ 25 V
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