SI7998DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
部件编号：
SI7998DP-T1-GE3
替代型号：
SQM120P10_10M1LGE3 , SI7272DP-T1-GE3 , SI4090DY-T1-GE3 , SI7997DP-T1-GE3 , DMG1012TQ-7 , SQA403EJ-T1_GE3 , IRLR7833TRPBF , SI7938DP-T1-GE3 , DP83867ERGZT , SSM6K403TU , LF , SI7611DN-T1-GE3 , MBR230LSFT1G , SI7106DN-T1-E3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
RoHS：
YES
SI7998DP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 250µA
配置：
2 N-Channel (Dual)
包装/箱：
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8 Dual
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
26nC @ 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1100pF @ 15V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
25A, 30A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
9.3mOhm @ 15A, 10V
功率 - 最大：
22W, 40W
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