SI7909DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A PPAK 1212
部件编号：
SI7909DN-T1-GE3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A PPAK 1212
RoHS：
YES
SI7909DN-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置：
2 P-Channel (Dual)
漏源电压 (Vdss)：
12V
功率 - 最大：
1.3W
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5.3A
包装/箱：
PowerPAK® 1212-8 Dual
供应商设备包：
PowerPAK® 1212-8 Dual
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
24nC @ 4.5V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
37mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 700µA
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