SI7846DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
部件编号：
SI7846DP-T1-GE3
替代型号：
RB751V40 , 115 , BLM21SP111SH1D , G6C-2114P-US-DC12 , DS04-254-2L-08BK , ACGRAT105L-HF , PDSE1-S12-S12-S , SPBW06F-05 , FMMT459TA , DSS14U , IKQ100N120CH7XKSA1 , GBU8K-BP
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7846DP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4.5V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
150 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4A (Ta)
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
36 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
50mOhm @ 5A, 10V
功耗（最大）：
1.9W (Ta)
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