SI7633DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
部件编号：
SI7633DP-T1-GE3
替代型号：
TPD2EUSB30DRTR , DMG1012TQ-7 , MPM3650GQW-Z , 434121043816 , B530C-13-F , PTS645SM43SMTR92 LFS , LM76005RNPR , RS1E240GNTB , LTC7151SEV#PBF , EAST1616RGBA3 , 98424-G52-12LF , EEH-ZK1V181V , SIRA00DP-T1-GE3 , RS1E200GNTB , LTC7150SIY#PBF
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7633DP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
20 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
60A (Tc)
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
功耗（最大）：
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3.3mOhm @ 20A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
260 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
9500 pF @ 10 V
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