SI7326DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
部件编号：
SI7326DN-T1-GE3
替代型号：
AYF530635 , AYF530535 , MIC5317-3.3YMT-TR , MC2016Z100.000C19XSH , S-85S1AB33-I6T1U , S-85S1AB25-I6T1U , SN74LVC1G34DSFR
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
RoHS：
YES
SI7326DN-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.8V @ 250µA
功耗（最大）：
1.5W (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs（最大）：
±25V
供应商设备包：
PowerPAK® 1212-8
包装/箱：
PowerPAK® 1212-8
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
13 nC @ 5 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
19.5mOhm @ 10A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.5A (Ta)
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