SI7149DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
部件编号:
SI7149DP-T1-GE3
替代型号:
DLW21SN900SQ2L  ,  SBRD10200  ,  NTMYS7D3N04CLTWG  ,  SI7149ADP-T1-GE3  ,  NCV8413DTRKG  ,  RSM200S-32.768-12.5-10PPM-NPB  ,  MBT3904DW1T1H  ,  SISA14DN-T1-GE3  ,  PESD5V0X1BCSFYL  ,  QH8KA4TCR  ,  TCR3DF40  ,  LM(CT  ,  R-668127  ,  CSD17551Q5A  ,  SML-LX0402SUGC-TR  ,  QH8MA4TCR
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
RoHS:
YES
SI7149DP-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
4.5V, 10V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.5V @ 250µA
场效应管类型:
P-Channel
漏源电压 (Vdss):
30 V
Vgs(最大):
±25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
供应商设备包:
PowerPAK® SO-8
包装/箱:
PowerPAK® SO-8
功耗(最大):
69W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
5.2mOhm @ 15A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
147 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
4590 pF @ 15 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:27466
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国际价格
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0.76
2280
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0.73
4380
9000
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