SI7149DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
部件编号：
SI7149DP-T1-GE3
替代型号：
DLW21SN900SQ2L , SBRD10200 , NTMYS7D3N04CLTWG , SI7149ADP-T1-GE3 , NCV8413DTRKG , RSM200S-32.768-12.5-10PPM-NPB , MBT3904DW1T1H , SISA14DN-T1-GE3 , PESD5V0X1BCSFYL , QH8KA4TCR , TCR3DF40 , LM(CT , R-668127 , CSD17551Q5A , SML-LX0402SUGC-TR , QH8MA4TCR
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7149DP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 250µA
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs（最大）：
±25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
50A (Tc)
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
功耗（最大）：
69W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
5.2mOhm @ 15A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
147 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
4590 pF @ 15 V
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