SI5414DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
部件编号:
SI5414DC-T1-GE3
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
RoHS:
YES
SI5414DC-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
包装/箱:
8-SMD, Flat Lead
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
2.5V, 4.5V
漏源电压 (Vdss):
20 V
Vgs(最大):
±12V
Vgs(th)(最大值)@Id:
1.5V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
6A (Tc)
供应商设备包:
1206-8 ChipFET™
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
41 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
1500 pF @ 10 V
功耗(最大):
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
17mOhm @ 9.9A, 4.5V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
数量
单价
国际价格
温馨提示:请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
公司名称:
请输入公司名称
姓名:
请输入姓名
电话:
请输入电话
邮箱:
请输入邮箱
数量:
请输入数量
描述:
请输入描述
验证码:
请输入验证码