SI5401DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
部件编号:
SI5401DC-T1-GE3
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
RoHS:
YES
SI5401DC-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
包装/箱:
8-SMD, Flat Lead
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型:
P-Channel
漏源电压 (Vdss):
20 V
Vgs(最大):
±8V
Vgs(th)(最大值)@Id:
1V @ 250µA
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
1.8V, 4.5V
供应商设备包:
1206-8 ChipFET™
功耗(最大):
1.3W (Ta)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
25 nC @ 4.5 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
5.2A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
32mOhm @ 5.2A, 4.5V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
数量
单价
国际价格
3000
0.37
1110
6000
0.36
2160
9000
0.34
3060
30000
0.33
9900
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