SI4936CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
部件编号：
SI4936CDY-T1-GE3
替代型号：
BSC0902NSATMA1 , AO4838 , LM5109BMAX/NOPB , NTMD4N03R2G , PIC18F26K83-I/SO , DMN3024LSD-13 , AOSD32334C , HSMG-C265 , LT1790BCS6-1.25#TRMPBF , MCP2551-E/SN , DMP3085LSD-13 , DMG6898LSD-13 , TSM2314CX RFG , SSQ-126-21-G-D , 0559350610
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
RoHS：
YES
SI4936CDY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
配置：
2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大：
2.3W
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5.8A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
40mOhm @ 5A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
9nC @ 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
325pF @ 15V
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