SI4451DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
部件编号：
SI4451DY-T1-GE3
替代型号：
SI4451DY-T1-E3 , LAN91C111I-NU , 5179029-5 , SL23HE3_A/H , MX29LV320ETXEI-70G , FN3200040 , 2305A-1HDCGI , IS61WV102416BLL-10MLI , EPM1270F256I5 , SMLVT3V3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
RoHS：
YES
SI4451DY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
功耗（最大）：
1.5W (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
12 V
Vgs（最大）：
±8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 4.5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
10A (Ta)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
120 nC @ 4.5 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
8.25mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id：
800mV @ 850µA
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制造商标准交期：待定
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