SI4162DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
部件编号：
SI4162DY-T1-GE3
替代型号：
MCQ18N03-TP , DMN3010LSS-13 , SIS413DN-T1-GE3 , BLM21PG221SN1D , B1701NG--20D000314U1930 , SI4174DY-T1-GE3 , AOSP36326C , BUK9Y11-80EX , SI4435DDY-T1-GE3 , QH8KA4TCR , MBR10U45L-TP , B1701URO-20D000114U1930 , AOSP32368 , SI7852DP-T1-E3 , PREC020SFAN-RC
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
RoHS：
YES
SI4162DY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
30 nC @ 10 V
功耗（最大）：
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
7.9mOhm @ 20A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1155 pF @ 15 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
19.3A (Tc)
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