SI4114DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
部件编号:
SI4114DY-T1-E3
替代型号:
SI4864DY-T1-GE3  ,  SKQYAAE010  ,  BTS3800SLHTSA1  ,  NB3N502DG  ,  SMAJ12CA  ,  TPS25940ARVCR  ,  SI4408DY-T1-E3  ,  AO4402G  ,  SI4114DY-T1-GE3  ,  MCP9844T-BE/MNY  ,  SMAJ6.5CA  ,  TPS22965QWDSGRQ1  ,  LTC4359HMS8#TRPBF  ,  XRCGB25M000F3A00R0  ,  AO4402
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
RoHS:
YES
SI4114DY-T1-E3 规格
安装类型:
Surface Mount
供应商设备包:
8-SOIC
包装/箱:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
4.5V, 10V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss):
20 V
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.1V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
20A (Tc)
Vgs(最大):
±16V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
95 nC @ 10 V
功耗(最大):
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
6mOhm @ 10A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
3700 pF @ 10 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:12630
数量
单价
国际价格
2500
0.81
2025
5000
0.78
3900
12500
0.76
9500
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