SI4100DY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
部件编号：
SI4100DY-T1-E3
替代型号：
SI4100DY-T1-GE3 , FDBL86066-F085 , FDS3692 , 1N4148WS , CDSOT23-SM712 , 1N4148W-7-F , PMV88ENER , IXTA96P085T-TRL , GSOT05C-G3-08 , BSS308PEH6327XTSA1 , SMDJ60A
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
RoHS：
YES
SI4100DY-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
20 nC @ 10 V
功耗（最大）：
2.5W (Ta), 6W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.8A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
63mOhm @ 4.4A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
600 pF @ 50 V
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