SI3483CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
部件编号：
SI3483CDV-T1-E3
替代型号：
SI3483CDV-T1-GE3 , SI1317DL-T1-GE3 , MAX3221EIPWR , NDT3055L , ECX-L35CN-125.000-TR , SI53340-B-GM , MMBT3904LT1G , SMBJ12A , 640456-2
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
RoHS：
YES
SI3483CDV-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备包：
6-TSOP
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TA)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
33 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1000 pF @ 15 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
8A (Tc)
功耗（最大）：
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
34mOhm @ 6.1A, 10V
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