SI3443CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
部件编号：
SI3443CDV-T1-E3
替代型号：
SI3443CDV-T1-GE3 , ABM8-12.000MHZ-B2-T , SI3443DDV-T1-GE3 , SI3443BDV-T1-E3 , MBRS340T3G , IS25LP128-JBLE , SI2309CDS-T1-GE3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
RoHS：
YES
SI3443CDV-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备包：
6-TSOP
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.5V, 4.5V
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±12V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.5V @ 250µA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
60mOhm @ 4.7A, 4.5V
功耗（最大）：
2W (Ta), 3.2W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
12.4 nC @ 5 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5.97A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
610 pF @ 10 V
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