SI5935CDC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
部件编号:
SI5935CDC-T1-GE3
替代型号:
SI5935CDC-T1-E3  ,  SI7216DN-T1-GE3  ,  NTHD4102PT1G  ,  TS331ICT  ,  7V-14.7456MDDQ-T  ,  LTC2053IMS8#PBF  ,  SI5908DC-T1-E3  ,  TCR3DF30  ,  LM(CT  ,  RV-8803-C7-32.768KHZ-3PPM-TA-QC  ,  TT8J3TR  ,  INA152EA/2K5  ,  LTC1923EUH#TRPBF  ,  ADXL363BCCZ-RL7  ,  USB2640I-HZH-02  ,  MSP430F5438AIPZR
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
RoHS:
YES
SI5935CDC-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
包装/箱:
8-SMD, Flat Lead
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)(最大值)@Id:
1V @ 250µA
漏源电压 (Vdss):
20V
配置:
2 P-Channel (Dual)
供应商设备包:
1206-8 ChipFET™
功率 - 最大:
3.1W
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
4A
Rds On(最大)@Id、Vgs:
100mOhm @ 3.1A, 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
455pF @ 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
11nC @ 5V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:11948
数量
单价
国际价格
3000
0.2
600
6000
0.19
1140
9000
0.18
1620
30000
0.17
5100
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