SI5920DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
部件编号:
SI5920DC-T1-GE3
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
RoHS:
YES
SI5920DC-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性:
Logic Level Gate
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置:
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th)(最大值)@Id:
1V @ 250µA
漏源电压 (Vdss):
8V
供应商设备包:
1206-8 ChipFET™
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
4A
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
12nC @ 5V
功率 - 最大:
3.12W
包装/箱:
8-SMD, Flat Leads
Rds On(最大)@Id、Vgs:
32mOhm @ 6.8A, 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
680pF @ 4V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
数量
单价
国际价格
3000
0.48
1440
6000
0.46
2760
9000
0.44
3960
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