SI5908DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
部件编号：
SI5908DC-T1-GE3
替代型号：
SI53304-B-GMR , NTHD4508NT1G
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
RoHS：
YES
SI5908DC-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置：
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
20V
功率 - 最大：
1.1W
供应商设备包：
1206-8 ChipFET™
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
7.5nC @ 4.5V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.4A
包装/箱：
8-SMD, Flat Leads
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