SI5902BDC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
部件编号：
SI5902BDC-T1-GE3
替代型号：
LT6202IS5#TRPBF , SMUN5216DW1T1G , STL33N60M2 , FDC1004DSCR , TLP3475(TP , F , SI5515CDC-T1-GE3 , NCP711ASN500T1G , NCP711ASN330T1G , G3VM-51UR(TR05) , LTC6362IDD#TRPBF , QH8MA3TCR , DTD113ZCHZGT116 , MBR130T1G , CD4049UBPW , LM3480IM3-3.3/NOPB
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
RoHS：
YES
SI5902BDC-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
配置：
2 N-Channel (Dual)
供应商设备包：
1206-8 ChipFET™
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
7nC @ 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
65mOhm @ 3.1A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
220pF @ 15V
功率 - 最大：
3.12W
包装/箱：
8-SMD, Flat Leads
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