SI5853DDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
部件编号：
SI5853DDC-T1-E3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
RoHS：
YES
SI5853DDC-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
8-SMD, Flat Lead
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±8V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 4.5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4A (Tc)
供应商设备包：
1206-8 ChipFET™
场效应管特性：
Schottky Diode (Isolated)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
320 pF @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
105mOhm @ 2.9A, 4.5V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
12 nC @ 8 V
功耗（最大）：
1.3W (Ta), 3.1W (Tc)
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制造商标准交期：待定
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