SI5517DU-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
部件编号：
SI5517DU-T1-GE3
替代型号：
SIA517DJ-T1-GE3 , SAV-541+ , ADA4807-1ARJZ-R7 , DG4053EEN-T1-GE4 , RCUCTE , LT VH9G-Q2OO-25-1-5-R18 , ADM7171ACPZ-3.3-R7 , SDM05U20CSP-7 , MCP25625-E/ML , ADA4807-1ARJZ-R2 , SIA414DJ-T1-GE3 , ADA4528-2ACPZ-R7 , BZB784-C5V6 , 115 , BQ78PL116RGZT , ADA4051-1AKSZ-R7
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
RoHS：
YES
SI5517DU-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
场效应管特性：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6A
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
520pF @ 10V
包装/箱：
PowerPAK® ChipFET™ Dual
供应商设备包：
PowerPAK® ChipFet Dual
Rds On（最大）@Id、Vgs：
39mOhm @ 4.4A, 4.5V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
16nC @ 8V
功率 - 最大：
8.3W
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