SI5515CDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
部件编号：
SI5515CDC-T1-GE3
替代型号：
NTHD3100CT1G , SIT8924AE-12-33E-33.333330 , TT8M2TR , ILHB1206ER500V , SI5902BDC-T1-GE3 , TT8M1TR , 0533980276 , IRF840STRLPBF , DSS2X160-01A , ACM2012-900-2P-T001 , NTHD3102CT1G , LTM4607IV#PBF , MMBT3904WT1G , SS14-E3/61T , 5025840260
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
RoHS：
YES
SI5515CDC-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
8-SMD, Flat Lead
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
场效应管特性：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
20V
供应商设备包：
1206-8 ChipFET™
Vgs(th)（最大值）@Id：
800mV @ 250µA
功率 - 最大：
3.1W
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
36mOhm @ 6A, 4.5V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
11.3nC @ 5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
632pF @ 10V
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