SI5513CDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
部件编号：
SI5513CDC-T1-GE3
替代型号：
SI7216DN-T1-E3 , INA122UA/2K5 , MCMNP2065A-TP , SI2319CDS-T1-GE3 , SI5504BDC-T1-GE3 , SI5513CDC-T1-E3 , DMC1229UFDB-13 , SI5504BDC-T1-E3 , INA122UA , SI5515CDC-T1-GE3 , BZX84-A15 , 215 , SI7216DN-T1-GE3 , 61083-101400LF
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
RoHS：
YES
SI5513CDC-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
场效应管特性：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
20V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.5V @ 250µA
供应商设备包：
1206-8 ChipFET™
功率 - 最大：
3.1W
包装/箱：
8-SMD, Flat Leads
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4A, 3.7A
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
285pF @ 10V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
55mOhm @ 4.4A, 4.5V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
4.2nC @ 5V
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