SI5504BDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
部件编号：
SI5504BDC-T1-GE3
替代型号：
USB5926CT-I/KD , SI5504BDC-T1-E3 , AO4612 , LTC6930IMS8-7.37#TRPBF , CLP-102-02-L-D-TR , SI5513CDC-T1-GE3 , NTHD3102CT1G , PTVS7V5Z1USKYL , SI5515CDC-T1-GE3 , DMN3042LFDF-7 , LTC6993IS6-1#TRMPBF , SI2303CDS-T1-E3 , NTHD3100CT1G , LT3009ESC8-5#TRMPBF , LTM8020EV#PBF
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
RoHS：
YES
SI5504BDC-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
供应商设备包：
1206-8 ChipFET™
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
7nC @ 10V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
65mOhm @ 3.1A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
220pF @ 15V
包装/箱：
8-SMD, Flat Leads
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4A, 3.7A
功率 - 最大：
3.12W, 3.1W
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