SI5504BDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
部件编号:
SI5504BDC-T1-GE3
替代型号:
USB5926CT-I/KD  ,  SI5504BDC-T1-E3  ,  AO4612  ,  LTC6930IMS8-7.37#TRPBF  ,  CLP-102-02-L-D-TR  ,  SI5513CDC-T1-GE3  ,  NTHD3102CT1G  ,  PTVS7V5Z1USKYL  ,  SI5515CDC-T1-GE3  ,  DMN3042LFDF-7  ,  LTC6993IS6-1#TRMPBF  ,  SI2303CDS-T1-E3  ,  NTHD3100CT1G  ,  LT3009ESC8-5#TRMPBF  ,  LTM8020EV#PBF
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
RoHS:
YES
SI5504BDC-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
配置:
N and P-Channel
场效应管特性:
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss):
30V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)(最大值)@Id:
3V @ 250µA
供应商设备包:
1206-8 ChipFET™
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
7nC @ 10V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
65mOhm @ 3.1A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
220pF @ 15V
包装/箱:
8-SMD, Flat Leads
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
4A, 3.7A
功率 - 最大:
3.12W, 3.1W
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:37273
数量
单价
国际价格
3000
0.44
1320
6000
0.42
2520
9000
0.4
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