SI5468DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
部件编号：
SI5468DC-T1-GE3
替代型号：
SI5424DC-T1-GE3 , LTC4006EGN-6#PBF , MBRM140T3G
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
RoHS：
YES
SI5468DC-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
8-SMD, Flat Lead
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
30 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
12 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6A (Tc)
供应商设备包：
1206-8 ChipFET™
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
435 pF @ 15 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
28mOhm @ 6.8A, 10V
功耗（最大）：
2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
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