SI5419DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
部件编号：
SI5419DU-T1-GE3
替代型号：
MAX33012EASA+ , BSS138W-7-F , 63SPB100A , BSS84W-7-F , TM4C1233H6PMI , LCDA15.TBT , 93LC66B-I/ST , MAX5035AASA+ , IRF9530STRLPBF , IPB80N08S207ATMA1 , MIC94053YC6-TR , INA186A2IDDFR , ZXTN08400BFFTA , FDN337N , MBR1560S
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
RoHS：
YES
SI5419DU-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 250µA
场效应管类型：
P-Channel
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
45 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：
30 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
12A (Tc)
功耗（最大）：
3.1W (Ta), 31W (Tc)
包装/箱：
PowerPAK® ChipFET™ Single
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1400 pF @ 15 V
供应商设备包：
PowerPAK® ChipFET™ Single
Rds On（最大）@Id、Vgs：
20mOhm @ 6.6A, 10V
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