SI4946BEY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
部件编号:
SI4946BEY-T1-GE3
替代型号:
SI7315DN-T1-GE3  ,  SQ4917CEY-T1_GE3  ,  SI4896DY-T1-GE3  ,  8019 000100  ,  ADUM4121-1ARIZ  ,  SI4946CDY-T1-GE3  ,  SI4948BEY-T1-E3  ,  SQ4961EY-T1_GE3  ,  MIC4104YM  ,  BSS138-TP  ,  LTC4365ITS8-1#TRMPBF  ,  P6KE30A-E3/54  ,  DW-01-08-T-S-250  ,  BSS138LT1G  ,  SI4447ADY-T1-GE3  ,  LTM4644IY#PBF
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
RoHS:
YES
SI4946BEY-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
供应商设备包:
8-SOIC
包装/箱:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性:
Logic Level Gate
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)(最大值)@Id:
3V @ 250µA
配置:
2 N-Channel (Dual)
漏源电压 (Vdss):
60V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
25nC @ 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
6.5A
Rds On(最大)@Id、Vgs:
41mOhm @ 5.3A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
840pF @ 30V
功率 - 最大:
3.7W
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:21319
数量
单价
国际价格
2500
0.65
1625
5000
0.62
3100
12500
0.58
7250
温馨提示:请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
公司名称:
请输入公司名称
姓名:
请输入姓名
电话:
请输入电话
邮箱:
请输入邮箱
数量:
请输入数量
描述:
请输入描述
验证码:
请输入验证码