SI4946BEY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
部件编号：
SI4946BEY-T1-GE3
替代型号：
SI7315DN-T1-GE3 , SQ4917CEY-T1_GE3 , SI4896DY-T1-GE3 , 8019 000100 , ADUM4121-1ARIZ , SI4946CDY-T1-GE3 , SI4948BEY-T1-E3 , SQ4961EY-T1_GE3 , MIC4104YM , BSS138-TP , LTC4365ITS8-1#TRMPBF , P6KE30A-E3/54 , DW-01-08-T-S-250 , BSS138LT1G , SI4447ADY-T1-GE3 , LTM4644IY#PBF
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
RoHS：
YES
SI4946BEY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
配置：
2 N-Channel (Dual)
漏源电压 (Vdss)：
60V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
25nC @ 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.5A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
41mOhm @ 5.3A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
840pF @ 30V
功率 - 最大：
3.7W
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