SI4931DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
部件编号：
SI4931DY-T1-GE3
替代型号：
NTNS3164NZT5G , 2504021027Y0 , SK84L-TP , IRF7329TRPBF , DF40C-90DS-0.4V(51) , BBS-102-G-A , ST1W008S4AR1500 , TPS56C230RJER , B2B-PH-K-S , M24256-BRMN6TP
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
RoHS：
YES
SI4931DY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置：
2 P-Channel (Dual)
功率 - 最大：
1.1W
漏源电压 (Vdss)：
12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.7A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 350µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
52nC @ 4.5V
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