SI4914BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
部件编号:
SI4914BDY-T1-GE3
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
RoHS:
YES
SI4914BDY-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
供应商设备包:
8-SOIC
包装/箱:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss):
30V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置:
2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.7V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
10.5nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
8.4A, 8A
功率 - 最大:
2.7W, 3.1W
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制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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